[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其混装有多个不同种类的电路元件从而实现多样的电路。该半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；配置在半导体基板中的第二导电型的第一及第二埋入扩散层；配置在半导体基板上的半导体层；配置在半导体层中且在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围半导体层的第一区域的第二导电型的第一杂质扩散区；配置在半导体层的第二埋入扩散层上的第二导电型的第二杂质扩散区；配置在半导体层的第一区域内的第二导电型的第一阱；配置在半导体层中与第二杂质扩散区相接的第二区域内的第一导电型的第二阱；配置在第一阱中的第一导电型的第三及第四杂质扩散区；配置在第二阱中的第一导电型的第五杂质扩散区。

主权项

一种半导体装置，具备：第一导电型的半导体基板；第二导电型的第一埋入扩散层以及第二导电型的第二埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；半导体层，其被配置在所述半导体基板上；第二导电型的第一杂质扩散区，其被配置在所述半导体层中，并且在所述第一埋入扩散层上于俯视观察时包围所述半导体层的第一区域；第二导电型的第二杂质扩散区，其在所述半导体层中被配置于所述第二埋入扩散层上；第二导电型的第一阱，其被配置在所述半导体层的第一区域内；第一导电型的第二阱，其被配置在所述半导体层中与所述第二杂质扩散区相接的第二区域内；第一导电型的第三杂质扩散区以及第一导电型的第四杂质扩散区，其被配置在所述第一阱中；第一导电型的第五杂质扩散区，其被配置在所述第二阱中。