[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其混装有多个不同种类的电路元件从而实现多样的电路。该半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；配置在半导体基板中的第二导电型的第一及第二埋入扩散层；配置在半导体基板上的半导体层；配置在半导体层中且在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围半导体层的第一区域的第二导电型的第一杂质扩散区；配置在半导体层的第二埋入扩散层上的第二导电型的第二杂质扩散区；配置在半导体层的第一区域内的第二导电型的第一阱；配置在半导体层中与第二杂质扩散区相接的第二区域内的第一导电型的第二阱；配置在第一阱中的第一导电型的第三及第四杂质扩散区；配置在第二阱中的第一导电型的第五杂质扩散区。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法等。

背景技术

例如，作为电路元件而使用搭载有横向型的PNP双极性晶体管的半导体装置。该晶体管具有：被配置在P型的半导体基板上的N型的埋入扩散层；被配置在半导体基板上的P型的外延层(半导体层)；为了实现与埋入扩散层的接触而从半导体层的表面起延伸至埋入扩散层的N型的杂质扩散区(N塞)；到达埋入扩散层的较深的N阱。

在这样的半导体装置的制造过程中，作为在MOS场效应晶体管的形成中所未使用的工序，而需要进行如下工序，即：在P型的半导体层的下层中形成N型的埋入扩散层的工序、形成从半导体层的表面起延伸至埋入扩散层的N塞的工序、形成到达埋入扩散层的较深的N阱的工序。

此外，作为半导体装置中的电路元件，有时会形成齐纳二极管。齐纳二极管由高浓度的P型的杂质扩散区与N型的杂质扩散区之间的PN结构成。通常情况下，使构成MOS场效应晶体管的源极或漏极的P型的杂质扩散区和N型的杂质扩散区接合，从而形成PN结。但是，当击穿电压的规格不同的情况下，需要进行通过追加其他浓度的杂质扩散区并实施浓度调节从而形成PN结的工序。

另外，作为半导体装置中的电路元件，有时会形成LD(Lateral Double-diffused：横向双扩散)MOS场效应晶体管。在该情况下，作为在MOS场效应晶体管的形成中所未使用的工序，而需要进行如下工序，即：在P型的半导体层的下层中形成N型的埋入扩散层的工序、形成到达埋入扩散层的较深的N阱的工序、在较深的N阱的一部分中形成体区的工序。

作为关联的技术，在专利文献1的图1以及图2中公开了具有抑制了耐压变化的二极管的半导体装置。该半导体装置具备：在硅基板11上隔着N型的埋入层12而被设置的P型的外延生长层13、被形成在外延生长层13上的元件隔离区17以及18、被形成在外延生长层13上且位于元件隔离区17以及18的内侧的N^-型的阴极14、以与阴极14上相接的方式而被形成且对元件隔离区17以及18的内侧的角部进行覆盖的P^-型的阳极20。

然而，为了实现多样的电路，除了上述的横向型的双极性晶体管以外，还要求将其他种类的电路元件混装在半导体装置上，或者将具有所需的击穿电压的齐纳二极管混装在半导体装置上。另一方面，如果欲将多个不同种类的电路元件混装在半导体装置上，则会增加为了各个电路元件而专门地形成杂质扩散区等的工序，从而随着掩膜的张数或工序数的增加而使半导体装置的制造成本上升。

因此，本发明的几个方式提供一种为了实现多样的电路而混装有多个不同种类的电路元件的半导体装置。此外，本发明的其他几个方式提供一种在不过于增加制造工序的条件下制造出混装有多个不同种类的电路元件的半导体装置的方法。

专利文献1：日本特开2015-90913号公报(第0008-0009段、图1以及图2)

发明内容