[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第一导电型的半导体基板；

第二导电型的第一埋入扩散层以及第二导电型的第二埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；

半导体层，其被配置在所述半导体基板上；

第二导电型的第一杂质扩散区，其被配置在所述半导体层中，并且在所述第一埋入扩散层上于俯视观察时包围所述半导体层的第一区域；

第二导电型的第二杂质扩散区，其在所述半导体层中被配置于所述第二埋入扩散层上，并且在俯视观察时包围所述半导体层的第二区域；

第二导电型的第一阱，其被配置在所述半导体层的第一区域内；

第一导电型的第二阱，其被配置在所述半导体层中与所述第二杂质扩散区相接的第二区域内；

第一导电型的第三杂质扩散区以及第一导电型的第四杂质扩散区，其被配置在所述第一阱中；

第一导电型的第五杂质扩散区，其被配置在所述第二阱中，并且在俯视观察时被配置为环状。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第二导电型的第三埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；

第二导电型的第六杂质扩散区，其被配置在所述半导体层中，并且在所述第三埋入扩散层上于俯视观察时包围所述半导体层的第三区域；

第二导电型的第三阱，其被配置在所述半导体层的第三区域内；

第二导电型的第七杂质扩散区，其被配置在所述第三阱中；

第一导电型的第八杂质扩散区，其被配置在至少所述第七杂质扩散区上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第二导电型的第四埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；

第二导电型的第四阱，其被配置在所述第四埋入扩散层上的所述半导体层的第四区域内；

第一导电型的第九杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；

第二导电型的第十杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；

栅电极，其隔着绝缘膜而被配置在所述第四阱上；

第二导电型的第十一杂质扩散区，其被配置在所述第九杂质扩散区内。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，还具备：

第二导电型的第四埋入扩散层，其被配置在所述半导体基板中；

第二导电型的第四阱，其被配置在所述第四埋入扩散层上的所述半导体层的第四区域内；

第一导电型的第九杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；

第二导电型的第十杂质扩散区，其被配置在所述第四阱中；

栅电极，其隔着绝缘膜而被配置在所述第四阱上；

第二导电型的第十一杂质扩散区，其被配置在所述第九杂质扩散区内。

5.一种半导体装置的制造方法，具备：

在第一导电型的半导体基板中同时形成第二导电型的第一埋入扩散层以及第二导电型的第二埋入扩散层的工序；

在所述半导体基板上形成半导体层的工序；

在所述半导体层中形成在所述第一埋入扩散层上于俯视观察时包围所述半导体层的第一区域的第二导电型的第一杂质扩散区，同时，在所述半导体层中于所述第二埋入扩散层上形成在俯视观察时包围所述半导体层的第二区域的第二导电型的第二杂质扩散区的工序；

在所述半导体层的第一区域内形成第二导电型的第一阱的工序；

在所述半导体层中与所述第二杂质扩散区相接的第二区域内形成第一导电型的第二阱的工序；

在所述第一阱中形成第一导电型的第三杂质扩散区以及第一导电型的第四杂质扩散区，同时，在所述第二阱中形成第一导电型的第五杂质扩散区的工序。