[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201611110356.6 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107046011A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨岱宜;包天一;林天禄;朱韦臻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构被提供。此半导体装置结构包括基板，以及形成于此基板上的内连线结构。此内连线结构包括第一介电层形成于基板上，以及第一石墨烯层形成于第一介电层之中与之上。第一石墨烯层包括第一部分位于第一介电层之中，以及第二部分位于第一介电层之上，以及第一绝缘层形成于第一石墨烯层的第一部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，包括：一基板；以及一内连线结构，形成于该基板上，其中该内连线结构包括：一第一介电层，形成于该基板上；一第一石墨烯层，形成于该第一介电层之中与之上，其中该第一石墨烯层包括位于该第一介电层之中的一第一部分，以及位于该第一介电层之上的一第二部分；以及一第一绝缘层，形成于该第一石墨烯层的该第一部分上。
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