[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611071009.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039413A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 余振华;吴集锡;叶德强;陈宪伟;苏安治;杨天中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括第一管芯、设置为水平地邻近第一管芯的第二管芯、设置在第一管芯和第二管芯上方的第三管芯、以及围绕第一管芯和第二管芯的第一介电材料，其中，第一介电材料的一部分设置在第一管芯与第二管芯之间，并且第三管芯设置在第一介电材料的一部分上方。本发明还提供了半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一管芯；第二管芯，设置为水平地邻近所述第一管芯；第三管芯，设置在所述第一管芯和所述第二管芯上方；以及第一介电材料，围绕所述第一管芯和所述第二管芯，其中，所述第一介电材料的部分设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间，并且所述第三管芯设置在所述第一介电材料的部分上方。
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