[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201611032654.8 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107564887A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王青杉;李顺益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置，其包含层间介电结构上的互连层。层间介电结构包含第一接触件，延伸穿过层间介电结构，电连接到位于层间介电结构下面的楼板结构中的对应第一组件；至少一个第二组件，位于层间介电结构内且与层间介电结构的表面(在垂直于层间介电结构的平面的方向上)间隔一定距离，所述距离小于层间介电结构的厚度；以及第二接触件，直接接触至少一个第二组件的对应第一区域。互连层包含第一金属化片段，直接接触第一接触件中的对应者；以及第二金属化片段，位于至少一个第二组件的第二区域上方，第二金属化片段的宽度小于第一金属化片段的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：层间介电结构，包含：第一接触件，延伸穿过所述层间介电结构，电连接到对应第一组件，所述第一组件位于所述层间介电结构下面的楼板结构中；至少一个第二组件，所述至少一个第二组件位于所述层间介电结构内以及与所述层间介电结构的表面在垂直于所述层间介电结构的平面的方向上间隔一定距离，所述距离小于所述层间介电结构的厚度；以及第二接触件，直接接触所述至少一个第二组件的对应第一区域；以及互连层，在所述层间介电结构上，包含：第一金属化片段，直接接触所述第一接触件中的对应者；以及第二金属化片段，位于所述至少一个第二组件的第二区域上方，所述第二金属化片段的宽度小于所述第一金属化片段的宽度。
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