[发明专利]高密度SOI封装基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201611015068.2 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106783801B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 马盛林;金仲和;任奎丽;金玉丰;王志平;王春波;时广轶 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;宁波麦思电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11249 北京中恒高博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘洪京 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度SOI封装基板，包括SOI衬底基板和SiO | ||
| 搜索关键词： | 高密度 soi 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度SOI封装基板的制备方法，包括以下步骤：/n⑴、取含有SiO
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