[发明专利]高密度SOI封装基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201611015068.2 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106783801B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 马盛林;金仲和;任奎丽;金玉丰;王志平;王春波;时广轶 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;宁波麦思电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11249 北京中恒高博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘洪京 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 soi 封装 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高密度SOI封装基板的制备方法，包括以下步骤：
⑴、取含有SiO2埋氧层的SOI圆片作为基板，通过DRIE或激光对基板正面和背面进行刻蚀，获得至SiO2埋氧层的硅柱，硅柱与基板之间设有绝缘结构；
⑵、对步骤⑴的基板两外侧面抛光处理，由基板正面硅柱刻蚀出盲孔，至基板背侧的硅柱中；
⑶、对步骤⑵盲孔中注入金属形成金属柱；
⑷、向步骤⑶基板两侧全部表面均覆盖上绝缘层；
⑸、对步骤⑷基板进行抛光处理，两侧的绝缘层面上覆盖上金属互连层。
2.如权利要求1所述高密度SOI封装基板的制备方法，其特征在于：步骤⑵中绝缘结构为二氧化硅层、BCB层、PI层、玻璃浆料或空气绝缘层。
3.如权利要求2所述高密度SOI封装基板的制备方法，其特征在于：步骤⑷中绝缘层是通过PECVD、旋涂、喷镀中的至少一种方法覆盖在基板两侧全部表面上的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;宁波麦思电子科技有限公司，未经浙江大学;宁波麦思电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611015068.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
