[发明专利]半导体装置

摘要

公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，在基底上被器件隔离图案限定，有源图案具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处，其中，衬里绝缘层包括：第一衬里绝缘层；和第二衬里绝缘层，具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面，其中，每个源/漏区包括：第一部分，由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面；以及第二部分，从第二衬里绝缘层向上突出。