[发明专利]半导体装置

说明书

公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。

本专利申请要求于2015年11月25日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0165687号的韩国专利申请的优先权，该专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

示例性实施方式涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置。

背景技术

由于半导体装置的小尺寸、多功能特性和低制造成本，半导体装置被广泛用于电子工业中。半导体装置可以被分类为存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的半导体逻辑装置以及具有半导体存储器装置的功能和半导体逻辑装置的功能二者的混合半导体装置中的任意一种。随着电子工业的发展，已经越来越需要具有优异特性的半导体装置。例如，已经越来越需要高可靠的、高速的和/或多功能的半导体装置。为了满足这些需求，半导体装置已经高度集成并且半导体装置的结构已经变得越来越复杂。

发明内容

在这里描述主题的示例性实施方式可以提供一种半导体装置，所述半导体装置包括具有提高的电特性的场效应晶体管。

在一方面，半导体装置可以包括：具有侧壁的有源图案，被位于基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层可以包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区可以包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。

在另一方面，半导体装置可以包括：具有侧壁的有源图案，被位于基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，在有源图案与器件隔离图案之间延伸；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层的至少一部分可以从器件隔离图案的顶表面突出以限定每一个源/漏区的下部。

在又一方面，半导体装置可以包括：有源图案，从基底突出；栅极结构，与有源图案交叉；以及源/漏区，在栅极结构的两侧处。有源图案可以包括与栅极结构叠置的第一部分和与源/漏区叠置的第二部分。有源图案的第二部分的顶表面可以比有源图案的第一部分的顶表面低。有源图案的第二部分可以分别地插入源/漏区的下部中。

在一方面，包括具有侧壁的有源图案的半导体装置被基底上的器件隔离图案限定。有源图案具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部和接触基底的下部。该装置还包括：衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，与有源图案交叉；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。源/漏区的下部的水平生长宽度受衬里绝缘层约束，源/漏区的上部的水平生长宽度和竖直生长长度在衬里绝缘层的最高部上方不受约束。

附图说明

考虑到附图和下面的详细描述，示例性实施方式将变得更加明显。

图1是示出根据一些示例性实施方式的半导体装置的平面图。

图2A是沿图1的线A-A’和线B-B’截取的剖视图，图2B和图2C是分别沿图1的线C-C’和线D-D’截取的剖视图。

图3A、图3B和图3C是图2C的一部分的放大图。

图4是示出根据一些示例性实施方式的半导体装置的平面图。

图5是沿图4的线E-E’截取的剖视图。