[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610921780.2 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039408B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 田畑光晴 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本说明书公开的技术涉及能够对导线键合作业的制约进行抑制的半导体装置及半导体装置的制造方法。本技术涉及的半导体装置具有：多个半导体芯片(104)，它们在俯视观察时由外框(102)所包围的壳体内配置于电路图案之上；以及键合导线(103)，其将电路图案与多个半导体芯片(104)之间电连接，多个半导体芯片(104)沿壳体的长边方向而排列，键合导线(103)沿壳体的长边方向而架设。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：/n多个半导体芯片，它们在俯视观察时由外框所包围的壳体内配置于电路图案之上；/n键合导线，其将所述电路图案与多个所述半导体芯片之间电连接；以及/n主电极，其配置于所述壳体内，/n多个所述半导体芯片沿所述壳体的长边方向而排列，/n所述键合导线沿所述壳体的长边方向而架设，/n所述主电极配置于所述壳体的长边方向的一个边的附近，/n所述主电极与所述电路图案之间的连接为超声波接合、焊接、或者钎焊，/n所述电路图案由厚度大于或等于0.4mm的铜箔构成，/n所述半导体装置具有2个将2个所述半导体芯片反向并联连接的第1复合元件，/n在一个所述第1复合元件处，经由第1中转电路图案而将2个所述半导体芯片反向并联连接，该第1中转电路图案配置于俯视观察时由2个所述半导体芯片所夹着的位置，/n在另一个所述第1复合元件处，直接将2个所述半导体芯片反向并联连接，而不经由所述第1中转电路图案。/n
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