[发明专利]一种半导体晶圆的抛光方法在审
| 申请号： | 201610898646.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107958835A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 赵厚莹;李章熙 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶圆的抛光方法，依次包括如下步骤S1同时对半导体晶圆的正反两面进行初步抛光；S2对所述半导体晶圆进行第一湿法清洗，同时在所述半导体晶圆的正反两面形成氧化层；S3对所述半导体晶圆的边缘部分进行镜面抛光；S4对所述半导体晶圆进行第二湿法清洗，同时去除覆盖在所述半导体晶圆上的氧化层；S5对所述半导体晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。本发明可避免半导体晶圆表面靠近边缘的区域在边缘抛光步骤中的过度抛光，并且可提高最终镜面抛光的效率和平整度，方法简单、经济实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的抛光方法，其特征在于，依次包括如下步骤：S1同时对半导体晶圆的正反两面进行初步抛光；S2对所述半导体晶圆进行第一湿法清洗，并在所述半导体晶圆的正反两面形成氧化层；S3对所述半导体晶圆的边缘部分进行镜面抛光；S4对所述半导体晶圆进行第二湿法清洗，同时去除覆盖在所述半导体晶圆上的氧化层；S5对所述半导体晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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