[发明专利]一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610819460.6 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN106158985A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 汤益丹;邓小川;白云;郭飞;宋凌云;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化硅结势垒肖特基二极管，包括：碳化硅N型衬底；碳化硅N型漂移区、碳化硅P型层，依次层叠于所述碳化硅N型衬底的上表面上；在所述碳化硅P型层顶部垂直向下开设有多个凹槽，所述凹槽的深度d满足d2＜d＜d1+d2，其中d1为所述碳化硅N型漂移区的厚度，d2为所述碳化硅P型层的厚度；P+注入层，设置于所述多个凹槽底部；以及阳极电极，至少形成于所述多个凹槽的侧壁上，该碳化硅结势垒肖特基二极管利用侧壁的面积优势增大电流导通面积，增大导通的电流，节省芯片面积，且加强了耗尽夹断的能力，降低了反偏时的泄漏电流，提高了反偏时的器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：碳化硅N型衬底(2)；碳化硅N型漂移区(3)、碳化硅P型层(4)，依次层叠于所述碳化硅N型衬底(2)的上表面上；在所述碳化硅P型层(4)顶部垂直向下开设有多个凹槽(6)，所述凹槽(6)的深度d满足d2＜d＜d1+d2，其中d1为所述碳化硅N型漂移区(3)的厚度，d2为所述碳化硅P型层(4)的厚度；P+注入层(7)，设置于所述多个凹槽(6)底部；以及阳极电极(5)，至少形成于所述多个凹槽(6)的侧壁上。
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