[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610809101.2 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106847813A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 罗鸿;许加融;蔡腾群;徐梓翔;杨丰诚;陈盈和 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括用于鳍式场效应晶体管(FET)的鳍结构。该鳍结构包括突出于衬底的基层、设置在基层上方的中间层和设置在中间层上方的上层。该鳍结构还包括第一保护层和由与第一保护层的不同的材料制成的第二保护层。该中间层包括设置在基层上方的第一半导体层、覆盖第一半导体层的至少侧壁的第一保护层和覆盖第一保护层的至少侧壁的第二保护层。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍结构，用于鳍式场效应晶体管(FET)，所述鳍结构包括突出于衬底的基层、设置在所述基层上方的中间层以及设置在所述中间层上方的上层；第一保护层；以及第二保护层，由与所述第一保护层的不同的材料制成，其中：所述中间层包括设置在所述基层上方的第一半导体层，所述第一保护层覆盖了所述第一半导体层的至少侧壁，以及所述第二保护层覆盖了所述第一保护层的至少侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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