[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍结构，用于鳍式场效应晶体管(FET)，所述鳍结构包括突出于衬底的基层、设置在所述基层上方的中间层以及设置在所述中间层上方的上层；

第一保护层；以及

第二保护层，由与所述第一保护层的不同的材料制成，其中：

所述中间层包括设置在所述基层上方的第一半导体层，

所述第一保护层覆盖了所述第一半导体层的至少侧壁，以及

所述第二保护层覆盖了所述第一保护层的至少侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述中间层还包括设置在所述第一半导体层上方的第二半导体层，

所述上层是包括SiGe的沟道层，

所述第一保护层覆盖了所述第二半导体层的至少侧壁和所述上层的部分侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层和所述中间层由相同的材料制成并且所述第一保护层覆盖了所述基层的至少侧壁和所述上层的部分侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一保护层由氮化硅制成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二保护层由氧化硅制成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一保护层的高度和所述第二保护层的高度之间的差异介于0.1nm至2nm之间。

7.一种半导体器件，包括：

第一鳍结构，用于第一鳍式场效应晶体管(FET)，所述第一鳍结构包括：

第一基层，突出于衬底；

第一中间层和第一沟道层，所述第一中间层设置在所述第一基层上方并且所述的第一沟道层设置在所述第一中间层上方；

第一保护层；和

第二保护层，由与所述第一保护层的不同的材料制成；

第二鳍结构，用于第二鳍式场效应晶体管，所述第二鳍结构包括：

第二基层，突出于所述衬底；

第二中间层和第二沟道层，所述第二中间层设置在所述第二基层上方并且所述第二沟道层设置在所述第二中间层上方；

第三保护层，和

第四保护层，由与所述第三保护层的不同的材料制成，其中：

所述第一沟道层由SiGe制成，

所述第一中间层包括设置在所述第一基层上方的第一半导体层和设置在所述第一半导体层上方的第二半导体层，

所述第一保护层覆盖了所述第一基层的侧壁、所述第一半导体层的侧壁和所述第二半导体层的部分的侧壁，

所述第二保护层覆盖了所述第一保护层的至少侧壁，

所述第三保护层覆盖了所述第二基层的至少侧壁、所述第二中间层的侧壁和所述第二沟道层的侧壁，以及

所述第四保护层覆盖了所述第三保护层的至少侧壁。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层由相同的材料制成。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二沟道层和所述第二中间层由相同的材料制成。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成鳍结构，所述鳍结构包括下层、设置在所述下层上方的中间层和设置在所述中间层上方的上层；

在所述鳍结构的至少侧壁上形成第一保护层；

在所述第一保护层的至少侧壁上形成第二保护层以覆盖所述第一保护层的所述侧壁，所述第二保护层由与所述第一保护层的不同的材料制成；

去除所述第二保护层的上部从而剩余所述第二保护层的下部并且暴露所述第一保护层的上部；

去除所述第一保护层的暴露的上部的部分从而剩余由所述第二保护层的剩余的下部覆盖的所述第一保护层的下部；以及

形成隔离绝缘层，从而使得具有所述第二保护层和所述第一保护层的所述鳍结构嵌入在所述隔离绝缘层内。