[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的基底；在第一区域基底中形成阱区；在第二区域基底中形成漂移区；图形化基底，形成衬底以及凸出于衬底的鳍部，包括位于第一区域和第二区域交界处的第一鳍部，以及位于第二区域的第二鳍部，在与鳍部延伸方向相垂直的方向上，第二鳍部的宽度尺寸值大于第一鳍部的宽度尺寸值；在第一鳍部表面形成位于第一区域和第二区域交界处的栅极结构；在栅极结构一侧第一鳍部内形成源极、另一侧第二鳍部内形成漏极。本发明使第二鳍部的宽度尺寸值大于第一鳍部的宽度尺寸值，器件导通时电流流经第二鳍部的横截面面积增大，从而加快电流流出的速度，增强释放静电的能力。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的基底中形成阱区，所述阱区内具有第一掺杂离子；在所述第二区域的基底中形成漂移区，所述漂移区内具有第二掺杂离子，且所述第二掺杂离子类型与所述第一掺杂离子类型不同；图形化所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括位于所述第一区域和第二区域交界处的第一鳍部，以及位于所述第二区域的第二鳍部，在与所述鳍部延伸方向相垂直的方向上，所述第二鳍部的宽度尺寸值大于所述第一鳍部的宽度尺寸值；其中，位于所述第一区域的第一鳍部为第一鳍部第一部分，位于所述第二区域的第一鳍部为第一鳍部第二部分；形成位于所述第一区域和第二区域交界处的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一鳍部的部分顶部表面，以及所述第一鳍部第二部分的部分侧壁表面；在所述栅极结构一侧的第一鳍部第一部分内形成源极，在所述栅极结构另一侧的第二鳍部内形成漏极，所述源极和漏极内具有第三掺杂离子，且所述第三掺杂离子与所述第二掺杂离子类型相同。