[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610651985.3 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106935484B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;陈昭成;李俊鸿;杨裕隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包含：形成多个心轴图案(mandrel patterns)在基材的图案层上方；以及形成间隙层在图案层与心轴图案上方，以及在心轴图案的多个侧壁上。此方法还包含利用干式蚀刻技术修整间隙层，以使间隙层的相邻的侧壁之间的空间实质上与心轴图案在沿着图案宽度方向上的尺寸相匹配。此方法还包含蚀刻间隙层，以暴露心轴图案以及图案层，使得图案化的间隙层形成于心轴图案的侧壁上。于修整间隙层以及蚀刻间隙层后，此方法还包含移除心轴图案。此方法还包含将图案化的间隙层的图案移转至图案层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包含：形成多个心轴图案在一基材上方的一图案层上方；形成一间隙层在该图案层与所述多个心轴图案上方，以及在所述多个心轴图案的多个侧壁上；利用一干式蚀刻技术修整该间隙层，以使该间隙层的相邻的侧壁之间的一空间与所述多个心轴图案在沿着一图案宽度方向上的尺寸相匹配；蚀刻该间隙层，以暴露所述多个心轴图案以及该图案层，使得一图案化间隙层形成于所述多个心轴图案的所述多个侧壁上；以及于修整该间隙层以及蚀刻该间隙层后，移除所述多个心轴图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
