[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包含：

形成多个心轴图案在一基材上方的一图案层上方；

形成一间隙层在该图案层与所述多个心轴图案上方，以及在所述多个心轴图案的多个侧壁上；

利用一干式蚀刻技术修整该间隙层，以使该间隙层的相邻的侧壁之间的一空间与所述多个心轴图案在沿着一图案宽度方向上的尺寸相匹配；

蚀刻该间隙层，以暴露所述多个心轴图案以及该图案层，使得一图案化间隙层形成于所述多个心轴图案的所述多个侧壁上；

于修整该间隙层以及蚀刻该间隙层后，移除所述多个心轴图案，其中修整该间隙层是在蚀刻该间隙层之前进行；以及

于移除所述多个心轴图案之前，对该间隙层进行一氧化制程，该氧化制程是在蚀刻该间隙层之前进行，修整该间隙层是在该氧化制程之前进行。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，蚀刻该间隙层以及进行该氧化制程包含：

对该间隙层进行一第一氧化制程；

于该第一氧化制程之后，对该间隙层进行一第一蚀刻以暴露所述多个心轴图案；

于该第一蚀刻之后，对该间隙层进行一第二氧化制程；以及

于该第二氧化制程之后，对该间隙层进行一第二蚀刻。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该干式蚀刻技术为等向性。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，修整该间隙层以及进行该氧化制程共同减少该间隙层在该图案宽度方向上的一厚度，且该间隙层在沿着一图案高度方向上的一高度维持不变。

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，蚀刻该间隙层是使用一非等向性干式蚀刻技术。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，修整该间隙层、蚀刻该间隙层以及该氧化制程是在同一个集束型设备来进行。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包含：

形成一图案层在一基材上方；

形成多个心轴图案在该图案层上方；

形成一间隙层在该图案层与所述多个心轴图案上方，以及在所述多个心轴图案的多个侧壁上；

利用一等向性干式蚀刻技术修整该间隙层，以使该间隙层的相邻的侧壁之间的一空间与所述多个心轴图案在沿着一图案宽度方向上的尺寸相匹配；

利用一非等向性干式蚀刻技术来蚀刻该间隙层，以暴露所述多个心轴图案以及该图案层，使得一图案化间隙层形成于所述多个心轴图案的所述多个侧壁上，其中于蚀刻该间隙层之前还包含进行一氧化制程，修整该间隙层是在进行该氧化制程之前进行；

于修整该间隙层以及蚀刻该间隙层后，移除所述多个心轴图案；以及

于移除所述多个心轴图案后，将该图案化间隙层的一图案移转至该图案层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，修整该间隙层是在蚀刻该间隙层之后进行。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中修整该间隙层以及该氧化制程共同减少该间隙层在该图案宽度方向上的一厚度，且该间隙层在沿着一图案高度方向上的一高度维持不变。