[发明专利]具有插入层的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610641281.8 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106601794B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 连承伟;王智麟;郭康民;林智伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、在衬底上方形成的界面层以及在界面层上方形成的插入层。该半导体结构还包括在插入层上方形成的栅极介电层和在栅极介电层上方形成的栅极结构。此外，该插入层由M1Ox制成，并且M1是金属，O是氧，以及x是大于4的值。本发明的实施例还涉及具有插入层的半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 插入 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底；界面层，形成在所述衬底上方；插入层，形成在所述界面层上方；栅极介电层，形成在所述插入层上方；以及栅极结构，形成在所述栅极介电层上方，其中，所述插入层由M1Ox制成，所述栅极介电层由M1Oy制成，并且M1是金属，O是氧，并且x大于y，x在从5至10的范围内。
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