[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610640986.8 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706233B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;黄志森 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含基底、多个栅极与多个插塞。这些栅极是设置于基底上并朝向第一方向延伸，这些栅极包含第一栅极与第二栅极。其中，第一栅极包含朝向第二方向延伸的第一延伸部。这些插塞则是相互平行地设置于基底上，这些插塞包含第一插塞与第二插塞，第一插塞与第二插塞分别覆盖在第一栅极与第二栅极上。其中，第一插塞的中心轴偏移第一栅极的中心轴并朝向第二方向偏移，且第二插塞的中心轴偏移第二栅极的中心轴并朝向第二方向偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于包含：基底；多个栅极，设置于该基底上并朝向一第一方向延伸，该些栅极包含第一栅极与第二栅极，其中，该第一栅极包含第一延伸部，该第一延伸部朝向一第二方向延伸；以及多个插塞，相互平行地设置于该基底上，该些插塞包含第一插塞与第二插塞，其中该第一插塞与该第二插塞分别覆盖在该第一栅极与该第二栅极上，该第一插塞的中心轴偏移该第一栅极的中心轴并朝向该第二方向偏移，以及该第二插塞的中心轴偏移该第二栅极的中心轴并朝向该第二方向偏移。
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