[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610609220.3 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106467288A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘晏成;黄信锭;蔡尚颖;张贵松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；第二腔，环绕第二器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在第一覆盖结构上方并覆盖通孔，其中，通过第二覆盖结构密封第二腔和通孔。本发明还提供了半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一衬底，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在所述第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在所述第二衬底上方，并且包括延伸穿过所述第一覆盖结构到达所述第二器件的通孔；第一腔，环绕所述第一器件并通过所述第一覆盖结构和所述第一衬底限定；第二腔，环绕所述第二器件并通过所述第一覆盖结构和所述第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在所述第一覆盖结构上方并覆盖所述通孔，其中，通过所述第二覆盖结构密封所述第二腔和所述通孔。
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