[发明专利]半导体芯片、半导体晶圆及制造方法在审
| 申请号： | 201610442936.9 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106252288A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体芯片、半导体晶圆及制造方法，所述半导体芯片包括基底、基于基底一侧制作的半导体层、以及从基底另一侧开设的至少一应力槽。通过在基底的一侧开设至少一应力槽，在半导体芯片的制造过程中，芯片中产生的应力可以通过应力槽得到减小、缓冲或者释放，避免由于应力的变化导致芯片产生裂纹、崩边、翘曲、变形或者其他缺陷，减少碎片率，提高半导体芯片上器件或电路的良率，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括基底、基于所述基底一侧制作的半导体层、以及从所述基底另一侧开设的至少一应力槽。
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