[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，衬底具有鳍部；在鳍部之间的衬底上形成隔离结构，凸出于隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域；形成横跨鳍部且覆盖所鳍部第一区域部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构；以栅极结构为掩膜，对鳍部第一区域的一侧进行第一轻掺杂工艺，掺杂离子为第一离子；以栅极结构为掩膜，对鳍部第一区域的另一侧进行第二轻掺杂工艺，掺杂离子为第二离子，第二离子类型与第一离子类型相同，且第二离子的原子质量小于第一离子的原子质量；第一轻掺杂工艺和第二轻掺杂工艺后，对衬底进行退火工艺。通过第一离子和第二离子的结合，既提高了鳍部的质量，又改善了器件的短沟道效应，进而优化了半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底具有鳍部；/n在所述鳍部之间的衬底上形成隔离结构，其中凸出于所述隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域；/n形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部第一区域的部分顶部表面和侧壁表面；/n以所述栅极结构为掩膜，对所述鳍部第一区域的一侧进行第一轻掺杂工艺，形成第一轻掺杂离子区，所述第一轻掺杂工艺的掺杂离子为第一离子；/n以所述栅极结构为掩膜，对所述鳍部第一区域的另一侧进行第二轻掺杂工艺，形成第二轻掺杂离子区，所述第二轻掺杂工艺的掺杂离子为第二离子，其中，所述第二离子类型与所述第一离子类型相同，且所述第二离子的原子质量小于所述第一离子的原子质量；/n第一轻掺杂工艺和第二轻掺杂工艺后，对所述衬底进行退火工艺。/n