[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有鳍部；

在所述鳍部之间的衬底上形成隔离结构，其中凸出于所述隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域；

形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部第一区域的部分顶部表面和侧壁表面；

以所述栅极结构为掩膜，对所述鳍部第一区域的一侧进行第一轻掺杂工艺，形成第一轻掺杂离子区，所述第一轻掺杂工艺的掺杂离子为第一离子；

以所述栅极结构为掩膜，对所述鳍部第一区域的另一侧进行第二轻掺杂工艺，形成第二轻掺杂离子区，所述第二轻掺杂工艺的掺杂离子为第二离子，其中，所述第二离子类型与所述第一离子类型相同，且所述第二离子的原子质量小于所述第一离子的原子质量；

第一轻掺杂工艺和第二轻掺杂工艺后，对所述衬底进行退火工艺。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底用于形成N型器件，所述第一离子和第二离子为N型离子。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一离子为As离子，所述第二离子为P离子。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一轻掺杂工艺的参数包括：注入的离子能量为1Kev至8Kev，注入的离子剂量为1E14至8E14原子每平方厘米，注入角度为7度至20度。

5.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二轻掺杂工艺的参数包括：注入的离子能量为1Kev至6Kev，注入的离子剂量为1E14至5E14原子每平方厘米，注入角度为7度至20度。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为激光退火、尖峰退火或快速热退火工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为尖峰退火工艺；

所述退火工艺的工艺参数包括：退火温度为900摄氏度至1050摄氏度，压强为一个标准大气压，反应气体为氮气，氮气的气体流量为5每分钟标准升至40每分钟标准升。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述衬底进行退火工艺后，所述制造方法还包括：在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域衬底用于形成N型器件，所述第二区域衬底用于形成P型器件；

位于所述第一区域衬底上的鳍部为第一鳍部，位于所述第二区域衬底上的鳍部为第二鳍部；

凸出于所述第一区域隔离结构的第一鳍部为第一鳍部第一区域，凸出于所述第二区域隔离结构的第二鳍部为第二鳍部第一区域；

对所述鳍部第一区域的一侧进行第一轻掺杂工艺的步骤中，对所述第一鳍部第一区域的一侧进行第一轻掺杂工艺；

对所述鳍部第一区域的另一侧进行第二轻掺杂工艺的步骤中，对所述第一鳍部第一区域的另一侧进行第二轻掺杂工艺；

对所述衬底进行退火工艺之前，所述制造方法还包括：对所述第二鳍部第一区域进行第三轻掺杂工艺，形成第三轻掺杂离子区。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第三轻掺杂工艺的参数包括：注入的离子包括硼离子，注入的离子能量为2Kev至8Kev，注入的离子剂量为8E13至5E14原子每平方厘米，注入角度为7度至20度。

11.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述衬底进行退火工艺的步骤包括：同时对所述第一轻掺杂离子区、第二轻掺杂离子区和第三轻掺杂离子区进行退火工艺，以激活离子。