[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610407359.X | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107492551B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供基底，基底包括衬底、以及凸出于衬底的鳍部，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域用于形成不同类型的晶体管；形成覆盖鳍部顶部和侧壁的栅介质层；在第一区域和第二区域交界处的栅介质层上形成阻挡层，阻挡层至少覆盖交界处第二区域的栅介质层；在第二区域的栅介质层和阻挡层上形成第二功函数层；在第一区域的栅介质层上形成第一功函数层。本发明先在第一区域和第二区域交界处的栅介质层上形成阻挡层，阻挡层至少覆盖交界处第二区域的栅介质层，所述阻挡层可以减小第一功函数层中的金属离子在第二功函数层中的扩散程度，从而可以避免对第二功函数层的性能造成不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括衬底、以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域用于形成不同类型的晶体管；/n形成覆盖所述鳍部顶部和侧壁的栅介质层；/n在所述第一区域和第二区域交界处的栅介质层上形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述交界处第二区域的栅介质层；/n在所述第二区域的栅介质层和阻挡层上形成第二功函数层；/n在所述第一区域的栅介质层上形成第一功函数层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
