[发明专利]半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法有效
申请号: | 201610404516.1 | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN106252336B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | E·菲尔古特;J·赫格尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L21/60;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/485 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法。提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括:具有表面的导电板;多个功率半导体器件,其布置在导电板的表面上,其中,该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的第一受控端均可以电耦合至导电板;多个导电块,其中,每个导电块与该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的相应的第二受控端电耦合;以及封装材料,其封装该多个功率半导体器件,其中,导电板的表面的至少一个边缘区域可以未被封装材料所封装。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 系统 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:具有顶面的导电板;多个功率半导体器件,其布置在所述导电板的所述顶面上,其中,所述多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的第一受控端均电耦合至所述导电板;多个导电块,每个导电块与所述多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的相应的第二受控端电耦合;以及封装材料,其封装所述多个功率半导体器件,其中,所述导电板的所述顶面的至少一个边缘区域未被所述封装材料所封装。
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