[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供包括器件区域和熔丝区域的衬底；在器件区域衬底上形成鳍部；在衬底上形成隔离结构；形成覆盖鳍部和隔离结构的多晶硅膜；刻蚀多晶硅膜，在器件区域鳍部上形成伪栅结构，并在熔丝区域隔离结构上形成熔丝结构；在伪栅结构和熔丝结构之间的隔离结构上形成层间介质层；在熔丝结构上形成材料与伪栅结构不同的保护层；以保护层和层间介质层为掩模去除伪栅结构。本发明先在熔丝结构顶部形成材料与伪栅结构不同的保护层，用于在去除伪栅结构时，作为刻蚀掩膜以保护熔丝结构。相比先形成覆盖熔丝结构的图形层，然后以图形层为掩膜去除所述伪栅结构的方案，本发明可以优化半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区域和熔丝区域；在所述器件区域的衬底上形成分立的鳍部；在所述鳍部之间的衬底和熔丝区域的衬底上形成隔离结构；形成覆盖所述鳍部和隔离结构的多晶硅膜；在所述多晶硅膜上形成图形化的硬掩膜层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多晶硅膜，在所述器件区域的鳍部上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部表面并覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁表面，并在所述熔丝区域的隔离结构上形成熔丝结构；在所述隔离结构上形成层间介质层，所述层间介质层位于所述伪栅结构以及熔丝结构之间；所述层间介质层顶部与所述硬掩膜层顶部齐平；在所述熔丝结构上形成保护层，所述在所述熔丝结构上形成保护层，包括：在所述器件区域形成第一图形层，所述第一图形层覆盖所述伪栅结构和器件区域的层间介质层；以所述第一图形层为掩膜，去除所述熔丝结构顶部的硬掩膜层，在所述层间介质层内形成露出所述熔丝结构顶部的第二开口；去除所述第一图形层；形成填充所述第二开口的保护层；以所述保护层和所述层间介质层为掩模去除所述伪栅结构，在所述层间介质层内形成第一开口；在所述第一开口中形成栅极结构；其中，所述保护层的材料与所述伪栅结构的材料不相同；所述保护层的材料与所述硬掩膜层的材料不相同。