[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201610362565.3 申请日: 2016-05-26
公开(公告)号: CN106206487A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 稗田贵仁;中井基生;内田修弘;谷直树 申请(专利权)人: 株式会社捷太格特
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李洋;苏琳琳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置,第一~第六开关元件(Tr1)~(Tr6)在其电极面(10a)与基板(2)的第二主面(2b)对置的状态下与基板(2)的第二主面(2b)接合。在各开关元件(Tr1)~(Tr6)的非电极面(10b)接合有对应的散热器(3)。各散热器(3)由具有在一个方向上较长的矩形的平面形状的长方体状的散热器主体(31)、和分别从散热器主体(31)的表面(上面)的两端部立起的一对立起部(间隔限制部)(32)、(33)构成。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:基板,该基板具有第一主面和第二主面;开关元件,该开关元件具有设置有多个电极的电极面、和作为所述电极面的相反侧的表面且未设置电极的非电极面,并由在所述电极面与所述基板的所述第二主面对置的状态下与所述基板接合的横向半导体元件构成;以及散热器,该散热器与所述开关元件的所述非电极面接合,其中,所述散热器具有用于规定与所述基板的间隔的间隔规定部。
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