[发明专利]一种半导体电容器及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610208298.4 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107293476B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴健;张焕云;江宇雷;洪波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92;H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体电容器及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有下部电极；在所述下部电极的上方形成绝缘层；在所述下部电极和所述绝缘层上形成间隙壁，其中，所述间隙壁位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上的部分具有平缓的坡度；在所述间隙壁上形成自对准硅化物层，以形成上部电极。本发明通过改变所述间隙壁的坡度，使得后续步骤中所述自对准硅化物的覆盖性能提高，而且在使得所述自对准硅化物厚度更加均匀，避免了多晶硅层在形成自对准硅化物过程中不够完全，厚度较小，或者完全不能形成自对准硅化物的问题，使得所述半导体电容器性能进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电容器 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体电容器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有下部电极；在所述下部电极的上方形成绝缘层；在所述下部电极和所述绝缘层上形成间隙壁，其中，所述间隙壁位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上的部分具有平缓的坡度；在所述间隙壁上形成自对准硅化物层，以形成上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
