[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201610135524.0 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN105789217B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 刘展睿;林瑜玲;单建勳;林佳桦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种阵列基板及其制作方法,阵列基板包括:一基板;一图案化辅助导电层设置于基板上,包括两个蚀刻阻挡图案;一图案化半导体层设置于基板上,包括一通道区以及两个重掺杂区,通道区位于两个重掺杂区之间,各蚀刻阻挡图案于一垂直投影方向上与一个重掺杂区直接接触且重迭;一栅极介电层设置于图案化半导体层以及图案化辅助导电层上;一第一图案化导电层设置于栅极介电层上,包括一栅极且栅极于垂直投影方向上与通道区对应设置。利用图案化辅助导电层的蚀刻阻挡图案或辅助导电图案与图案化半导体层的重掺杂区对应设置,使得源极/漏极电极可通过蚀刻阻挡图案或辅助导电图案而与重掺杂区形成电性连接,借此达到提升产品良率与电性均匀性等目的。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:一基板;一图案化辅助导电层,设置于该基板上,该图案化辅助导电层包括两个蚀刻阻挡图案;一图案化半导体层,设置于该基板上,该图案化半导体层包括一通道区以及两个重掺杂区,该通道区位于该两个重掺杂区之间,各该蚀刻阻挡图案于一垂直投影方向上与一个该重掺杂区直接接触且重迭;一栅极介电层,设置于该图案化半导体层以及该图案化辅助导电层上;以及一第一图案化导电层,设置于该栅极介电层上,该第一图案化导电层包括一栅极,且该栅极于该垂直投影方向上与该通道区对应设置;其中,该图案化辅助导电层设置于该基板与该图案化半导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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