[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

一基板；

一图案化辅助导电层，设置于该基板上，该图案化辅助导电层包括两个蚀刻阻挡图案；

一图案化半导体层，设置于该基板上，该图案化半导体层包括一通道区以及两个重掺杂区，该通道区位于该两个重掺杂区之间，各该蚀刻阻挡图案于一垂直投影方向上与一个该重掺杂区直接接触且重迭；

一栅极介电层，设置于该图案化半导体层以及该图案化辅助导电层上；以及

一第一图案化导电层，设置于该栅极介电层上，该第一图案化导电层包括一栅极，且该栅极于该垂直投影方向上与该通道区对应设置；

其中，该图案化辅助导电层设置于该基板与该图案化半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，更包括：

一层间介电层，设置于该栅极介电层以及该第一图案化导电层上；

多个第一开孔，其中各该第一开孔与一个该蚀刻阻挡图案对应设置，各该第一开孔贯穿该层间介电层以及该栅极介电层而至少部分暴露出对应的该蚀刻阻挡图案；以及

一第二图案化导电层，设置于该层间介电层上以及该等第一开孔中，该第二图案化导电层包括两个源极/漏极电极，各该源极/漏极电极与一个该蚀刻阻挡图案对应设置，且各该源极/漏极电极通过至少一个该第一开孔与对应的该蚀刻阻挡图案接触而形成电性连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，各该第一开孔更贯穿该图案化半导体层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该图案化半导体层更包括一第一电极，该第一图案化导电层更包括一第二电极，该第一电极与该第二电极于该垂直投影方向上互相重迭，且部分的该栅极介电层设置于该第一电极与该第二电极之间而形成一储存电容。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，该图案化辅助导电层更包括一第三电极，且该第三电极于该垂直投影方向上与该第一电极直接接触且重迭。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，该第三电极设置于该第一电极与该基板之间。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该图案化辅助导电层包括一金属导电层。

8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，更包括：

一平坦层，设置于该第二图案化导电层以及该层间介电层上；

一第二开孔，与一个该源极/漏极电极对应设置，该第二开孔贯穿该平坦层而暴露出至少部分的对应的该源极/漏极电极；以及

一像素电极，设置于该平坦层上，且该像素电极与被该第二开孔暴露出的该源极/漏极电极接触而形成电性连接。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一图案化辅助导电层，其中该图案化辅助导电层包括两个蚀刻阻挡图案；

于该基板上形成一图案化半导体层，其中该图案化半导体层包括一通道区以及两个重掺杂区，该通道区位于该两个重掺杂区之间，各该蚀刻阻挡图案于一垂直投影方向上与一个该重掺杂区直接接触且重迭；

于该图案化半导体层以及该图案化辅助导电层上形成一栅极介电层；以及

于该栅极介电层上形成一第一图案化导电层，其中该第一图案化导电层包括一栅极，且该栅极于该垂直投影方向上与该通道区对应；

其中，该图案化辅助导电层于该图案化半导体层之前形成，而各该蚀刻阻挡图案于该垂直投影方向上位于对应的该重掺杂区与该基板之间。