[发明专利]双向开关晶体管制作方法和双向开关晶体管在审

专利信息
申请号: 201610125625.X 申请日: 2016-03-04
公开(公告)号: CN107154397A 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 申请(专利权)人: 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 陶敏,黄健
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种双向开关晶体管的制作方法和双向开关晶体管,其中双向开关晶体管包括基底、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、第一栅极连接金属层、第二栅极连接金属层、保护层、在第一栅极连接金属层上形成的第一栅极金属层和所述第二栅极连接金属层上形成的第二栅极金属层,其中,第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层均位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层之间,本发明提供的双向开关晶体管的制作方法和双向开关晶体管,可以视为包括两个晶体管,由于两个晶体管共用了第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,并且该晶体管结构上相互对称,因此没有导通电压的偏移,导通损耗小。
搜索关键词: 双向 开关 晶体管 制作方法
【主权项】:
一种双向开关晶体管,其特征在于,包括:基底;在所述基底上形成的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、第一栅极连接金属层、第二栅极连接金属层,其中,第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层均位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层之间;在所述第一欧姆接触层与所述第一栅极连接金属层之间、所述第一栅极连接金属层与所述第二栅极连接金属层之间、所述第二栅极连接金属层与所述第二欧姆接触层之间形成的保护层;在所述第一栅极连接金属层上形成的第一栅极金属层和所述第二栅极连接金属层上形成的第二栅极金属层。
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