[发明专利]双向开关晶体管制作方法和双向开关晶体管

权利要求书

1.一种双向开关晶体管，其特征在于，包括：

基底；

在所述基底上形成的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、第一栅极连接金属层、第二栅极连接金属层，其中，第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层均位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层之间；

在所述第一欧姆接触层与所述第一栅极连接金属层之间、所述第一栅极连接金属层与所述第二栅极连接金属层之间、所述第二栅极连接金属层与所述第二欧姆接触层之间形成的保护层；

在所述第一栅极连接金属层上形成的第一栅极金属层和所述第二栅极连接金属层上形成的第二栅极金属层。

2.根据权利要求1所述的双向开关晶体管，其特征在于，所述基底包括：

硅衬底、在所述硅衬底上依次生长的氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层。

3.根据权利要求2所述的双向开关晶体管，其特征在于，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层均包括：第一钛层，铝层，第二钛层及氮化钛层。

4.根据权利要求3所述的双向开关晶体管，其特征在于，所述第一钛层和第二钛层的厚度相等，均为150埃-250埃，所述铝层的厚度为1100埃-1300埃，所述氮化钛层的厚度为150埃-250埃。

5.根据权利要求1-4任一所述的双向开关晶体管，其特征在于，所述第一栅极金属层和所述第二栅极金属层均包括：镍层和铜层。

6.根据权利要求1-4任一所述的双向开关晶体管，其特征在于，所述保护层包括：氮化硅层和氧化硅层。

7.一种双向开关晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基底上形成第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层；

在所述第一栅极连接金属层的两侧和所述第二栅极连接金属层的两侧形成保护层；

刻蚀所述保护层，以形成源端接触孔和漏端接触孔，其中，所述第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层均位于所述源端接触孔和所述漏端接触孔之间；

在所述源端接触孔中形成第一欧姆接触层，在所述漏端接触孔中形成第 二欧姆接触层；

在所述第一栅极连接金属层上形成第一栅极金属层，在所述第二栅极连接金属层上形成第二栅极金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在基底上形成第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层，包括：

在基底上形成氧化层；

刻蚀所述氧化层，在所述氧化层上形成第一栅极接触孔和第二栅极接触孔；

在所述第一栅极接触孔内形成第一栅极连接金属层，在所述第二栅极接触孔内形成第二栅极连接金属层；

将所述基底上的氧化层去除。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述源端接触孔和所述漏端接触孔中沉积欧姆接触层包括：

在所述源端接触孔、所述漏端接触孔、所述保护层、所述第一栅极连接金属层及第二栅极连接金属层上形成欧姆层；

对所述欧姆层进行高温退火，所述高温退火的温度为800℃-1000℃；

去除所述保护层和所述第一栅极连接金属层及第二栅极连接金属层上的欧姆层，以使得在所述源端接触孔中形成第一欧姆接触层、在所述漏端接触孔中形成第二欧姆接触层。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述源端接触孔和所述漏端接触孔中沉积欧姆接触层之前，还包括：对所述源端接触孔和所述漏端接触孔对应的基底进行表面清洗。