[发明专利]陶瓷材料、层叠体、半导体制造装置用构件及溅射靶材有效
| 申请号： | 201610080984.8 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105679663B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/31;C04B35/581;C04B35/04 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁‑铝氮氧化物相。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 层叠 半导体 制造 装置 构件 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁‑铝氮氧化物相；其中，副相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO‑AlN固溶体的晶相；其中，上述MgO‑AlN固溶体的使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°；Mg/Al mol比为0.4以上1.2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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