[发明专利]具有嵌入式EFS3以及FINFET器件的结构

摘要

本发明实施例涉及具有FinFET器件和嵌入式闪存存储器器件的集成芯片及其形成方法。在一些实施例中，集成芯片具有逻辑区和与逻辑区横向隔开的存储区。逻辑区具有从半导体衬底向外突出的多个第一半导体材料的鳍。栅电极布置在多个第一半导体材料的鳍上方。存储区具有从半导体衬底向外延伸的多个第二半导体材料的鳍。嵌入式闪存存储器单元布置在多个第二半导体材料的鳍上。由于产生的集成芯片结构包括FinFET器件以及嵌入式闪存存储器器件二者，因此它提供良好性能。本发明实施例涉及具有嵌入式EFS3以及FINFET器件的结构。

主权项

1.一种集成芯片，包括：逻辑区，包括从半导体衬底向外突出的多个第一半导体材料的鳍；栅电极，横跨所述多个第一半导体材料的鳍；嵌入式闪存存储器区，沿着第一方向与所述逻辑区横向隔开，并且包括从所述半导体衬底向外突出的多个第二半导体材料的鳍；以及多个嵌入式闪存存储器单元，布置在所述多个第二半导体材料的鳍上，其中，所述多个第一半导体材料的鳍在所述第一方向上具有第一宽度并且所述多个第二半导体材料的鳍在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度。