[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610015488.4 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106960844B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张智能;洪雅娟;蔡滨祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法。首先提供一基底，然后形成一介电层于基底上，并形成一开口于介电层中且该介电层包含一受损层(damaged layer)设于开口旁。接着形成一介电保护层于开口内，形成一金属层于开口内，最后再去除受损层及介电保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一开口于该介电层中，该介电层包含一受损层(damaged layer)设于该开口旁；形成一介电保护层于该开口内；形成一金属层于该开口内；以及去除该受损层及该介电保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
