[发明专利]半导体芯片、半导体装置和电池组在审
申请号: | 201610011407.3 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN105932009A | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 望月敬太;中岛健介;是成贵弘;中嶋幸治 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/52 | 分类号: | H01L23/52;H01L23/12;H01M10/44;H02J7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体芯片、半导体装置和电池组,提供了高通用性的半导体产品。共用漏极衬垫连同放电和充电功率晶体管的源极衬垫和栅极衬垫一起形成于半导体芯片的表面之上。因而,当半导体芯片正面朝下地安装于布线板之上时,不仅是放电和充电功率晶体管的源极衬垫和栅极衬垫,还有共用漏极衬垫也会与布线板的布线电耦接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 装置 电池组 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片,包含:第一功率晶体管;与所述第一功率晶体管反向串联耦接的第二功率晶体管;其中所述半导体芯片在其表面形成有:起到所述第一功率晶体管的第一源极的作用的第一源极衬垫,起到所述第一功率晶体管的第一栅极的作用的第一栅极衬垫,起到所述第二功率晶体管的第二源极的作用的第二源极衬垫,起到所述第二功率晶体管的第二栅极的作用的第二栅极衬垫,以及起到所述第一功率晶体管的第一漏极的作用并且还起到所述第二功率晶体管的第二漏极的作用的共用漏极衬垫。
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