[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件有效
| 申请号： | 201580080488.6 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107636847B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金田伦子;西瑞尔·佩诺特;平野光 | 申请（专利权）人： | 创光科学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 氮化物半导体紫外线发光元件具备基底部和发光部，所述基底部包含由具有通过相对于(0001)面倾斜而形成有多阶段状平台的表面的蓝宝石而成的基板、与被形成于基板表面上的AlN层的基底部，所述发光部是被形成于基底部表面上的、包含具有AlGaN系半导体层的活性层的发光部。至少，基底部的AlN层、发光部的活性层及其间的各层，是凭借阶梯流动成长而形成的，所述阶梯流动成长是通过多阶段状平台的侧面进行成长而二维成长的，活性层具有至少包含1个由AlGaN所构成的阱层的量子阱结构；在活性层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为阱层的厚度以上且10nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 紫外线 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，其具备：包含由具有通过相对于(0001)面倾斜而形成有多阶段状平台的表面的蓝宝石而成的基板、和被形成于所述基板表面上的AlN层的基底部，和与被形成于所述基底部表面上的、包含具有AlGaN系半导体层的活性层的发光部；至少，所述基底部的所述AlN层、所述发光部的所述活性层及其间的各层，是凭借阶梯流动成长而形成的，所述阶梯流动成长是通过多阶段状平台的侧面成长而进行二维成长的，所述活性层具有至少包含1个由AlXGa1‑XN构成的阱层的量子阱结构，其中，0＜X＜1，在所述活性层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为所述阱层的厚度以上且10nm以下。
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