[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

其具备：包含由具有通过相对于(0001)面倾斜而形成有多阶段状平台的表面的蓝宝石而成的基板、和被形成于所述基板表面上的A1N层的基底部，和

与被形成于所述基底部表面上的、包含具有A1GaN系半导体层的活性层的发光部；

至少，所述基底部的所述A1N层、所述发光部的所述活性层及其间的各层，是凭借阶梯流动成长而形成的，所述阶梯流动成长是通过多阶段状平台的侧面成长而进行二维成长的，

所述活性层具有至少包含1个由Al_XGa_1-XN构成的阱层的量子阱结构，其中，0＜X＜1，

在所述活性层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为所述阱层的厚度以上且10nm以下。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

在所述发光部所包含的所述活性层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为3nm以上。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

在所述发光部所包含的所述活性层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为6nm以下。

4.如权利要求2所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

在所述发光部所包含的所述活性层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为6nm以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

在所述发光部所包含的、在紧邻所述活性层之前被形成的层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为所述阱层的厚度以上且10nm以下。

6.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

所述活性层、与所述发光部所包含的在紧邻所述活性层之前被形成的层的各自表面的25μm见方区域的平均粗糙度之差的绝对值除以所述活性层表面的25μm见方区域的平均粗糙度的比值，为10％以下。

7.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

在所述基底部所包含的所述A1N层的表面，以上面俯视，所述基板的倾斜方向的平台的平均幅宽为0.3μm以上且1μm以下。

8.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

在所述基底部所包含的所述A1N层的表面，平台所形成的阶差的平均高度为8nm以上且14nm以下。

9.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

在所述发光部所包含的所述活性层的表面，25μm见方区域的高度的频数分布，成为随着高度从0开始增大，从向下凸的曲线变成向上凸的曲线的同时单调增加而达到极大值后，从向上凸的曲线变成向下凸的曲线的同时单调减少的曲线状。

10.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其中，

峰值发光波长为230nm以上且340nm以下。