[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580065241.7 申请日: 2015-09-14
公开(公告)号: CN107004653B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 小林浩;曾田真之介;大本洋平;林功明 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本技术涉及一种高导热性半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备绝缘基板(13)、半导体芯片(11)、板件(3)和冷却器(20)。绝缘基板(13)具备作为绝缘板的绝缘性陶瓷(6)以及设置于绝缘性陶瓷(6)的两面的导板(5)和导板(7)。半导体芯片(11)设置于绝缘基板(13)的上表面。板件(3)接合到绝缘基板(13)的下表面。冷却器(20)接合到板件(3)的下表面。绝缘基板(13)的下表面与板件(3)的接合以及板件(3)的下表面与冷却器(20)的接合中的至少一方是经由以锡为主成分的接合件而进行的。另外,板件(3)的反复应力比这些接合件的拉伸强度小。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:绝缘基板,具备绝缘板以及设置于所述绝缘板的两面的导板;半导体芯片,设置于所述绝缘基板的上表面;板件,接合到所述绝缘基板的下表面;以及冷却器,接合到所述板件的下表面,所述绝缘基板的下表面与所述板件的接合以及所述板件的下表面与所述冷却器的接合中的至少一方是经由以锡为主成分的接合件而进行的,所述板件的反复应力比所述接合件的拉伸强度小。
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