[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580058266.4 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN107004724B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 深泽晓;大内澄人 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/20;H01L21/205;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够降低耗电的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：Si(硅)基板、在Si基板的表面所形成的SiC(碳化硅)层、在SiC层的表面所形成的AlN(氮化铝)层、在AlN层的表面所形成的n型GaN(氮化镓)层、在GaN层的表面侧所形成的第1电极、以及在Si基板1的背面侧所形成的第2电极。在第1电极与第2电极之间流过的电流的大小依赖于第1电极与第2电极之间的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：导电体层；SiC层，形成在所述导电体层的表面；AlxGa1‑xN层，形成在所述SiC层的表面，其中，0＜x≤1；第1导电型的AlyGa1‑yN层，形成在所述AlxGa1‑xN层的表面，其中，0≤y＜1，y＜x；第1电极，形成在所述AlyGa1‑yN层的表面侧；和第2电极，形成在所述导电体层的背面侧，所述第1电极与所述第2电极之间流过的电流的大小依赖于所述第1电极与所述第2电极之间的电压。
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