[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

导电体层；

SiC层，形成在所述导电体层的表面；

AlN层，形成在所述SiC层的表面且具有大于0且15nm以下的厚度；

第1导电型的Al_yGa_1-yN层，形成在所述AlN层的表面，其中，0≤y＜1；

复合层，形成在所述Al_yGa_1-yN层的表面；

第1电极，形成在所述Al_yGa_1-yN层的表面侧；和

第2电极，形成在所述导电体层的背面侧，

所述第1电极与所述第2电极之间流过的电流的大小依赖于所述第1电极与所述第2电极之间的电压，

所述复合层包含Al_mGa_1-mN层以及在所述Al_mGa_1-mN层的表面所形成的Al_nGa_1-nN层，其中，0＜m≤1，y＜m，0≤n＜1，n＜m，

所述第1电极形成在离所述导电体层最远的所述Al_nGa_1-nN层的表面侧，

所述Al_yGa_1-yN层以及所述Al_nGa_1-nN层分别具有n型的导电型，所述Al_yGa_1-yN层以及所述Al_nGa_1-nN层分别被掺杂Si，所述Al_nGa_1-nN层的Si掺杂浓度与所述Al_yGa_1-yN层的Si浓度不同，所述Al_nGa_1-nN层的n型杂质浓度比所述Al_yGa_1-yN层的n型杂质浓度低，所述Al_nGa_1-nN层的所述第1电极侧的部分的n型杂质浓度比所述Al_nGa_1-nN层的与所述第1电极相反的一侧的部分的n型杂质浓度低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1电极与所述Al_nGa_1-nN层肖特基接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述Al_yGa_1-yN层以及所述Al_nGa_1-nN层各自的厚度为50nm以上且5μm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述Al_mGa_1-mN层各自的厚度为大于0且15nm以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述复合层为1层以上且4层以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述导电体层是Si基板。