[发明专利]用于制造半导体布置结构的方法以及相应的半导体布置结构有效
| 申请号： | 201580051771.6 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106716629B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | G·费特尔;A·阿佩斯迈尔;H·萨克尔 | 申请（专利权）人： | 奥迪股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 吴鹏;牛晓玲 |
| 地址： | 德国因戈*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体布置结构(1)的方法，所述半导体布置结构至少具有基础元件(2)和半导体(3)，其中半导体(3)借助于烧结层(4)固定在基础元件(2)上。在此规定了，至少部分地对基础元件(2)的直接抵靠烧结层(4)的区域(9)进行打孔。本发明还涉及一种半导体布置结构(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 布置 结构 方法 以及 相应 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体布置结构(1)的方法，所述半导体布置结构至少具有基础元件(2)和半导体(3)，其中半导体(3)借助于烧结层(4)固定在基础元件(2)上，其特征在于，至少部分地对基础元件(2)的直接抵靠烧结层(4)的区域(9)进行打孔，以便有针对性地调整基础元件(2)的刚度，其中，所述打孔包括在基础元件(2)的区域(9)中制造多个穿透所述基础元件(2)的、边缘闭合的通孔(15)，其中所述烧结层(4)在其朝向基础元件(2)的一侧上被设计为平坦的，从而该烧结层(4)不接合到通孔(15)中。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥迪股份公司，未经奥迪股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580051771.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
