[发明专利]碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201580009268.4 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN106030757A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | J.J.麦克马洪;L.D.斯特瓦诺维奇;S.D.阿瑟;T.B.戈尔奇卡;R.A.博普雷;Z.M.斯坦;A.V.波罗特尼科夫 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;刘春元 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了半导体装置。该装置包括半导体层，该半导体层包括碳化硅，并且具有第一表面和第二表面。栅极绝缘层设置于半导体层的第一表面的一部分上，并且栅极电极设置于栅极绝缘层上。该装置进一步包括氧化物，该氧化物设置于栅极绝缘层与栅极电极之间在与栅极电极的边缘相邻的拐角处，以便栅极绝缘层具有在拐角处比在层的中心处的厚度大的厚度。还提供用于制作装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：半导体层，包含碳化硅，所述半导体层具有第一表面和第二表面；栅极绝缘层，设置于所述半导体层的所述第一表面的一部分上；栅极电极，设置于所述栅极绝缘层上；以及氧化物，设置于所述栅极绝缘层与所述栅极电极之间在与所述栅极电极的边缘相邻的拐角处，以便所述栅极绝缘层在与所述栅极电极的所述边缘相邻的所述拐角处具有比在所述层的中心处的厚度大的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司，未经通用电气公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580009268.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
