[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含以下工序。准备半导体单元的工序，该半导体单元具有具备散热部的第一主面和与第一主面对置的第二主面，并且搭载有半导体芯片；准备具有平坦面的冷却器的工序；在半导体单元的第一主面或者冷却器的平坦面涂布含有金属纳米粒子的糊料的工序；隔着糊料使半导体单元的第一主面与冷却器的平坦面接触的工序；以及在将糊料升温的同时向半导体单元的第二主面施加在平面内均匀的加压力，将糊料烧结而形成接合层的工序。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备半导体单元的工序，所述半导体单元具有具备散热部的第一主面和与所述第一主面对置的第二主面，并且搭载有半导体芯片；准备具有平坦面的冷却器的工序；在所述半导体单元的第一主面或者所述冷却器的平坦面涂布含有金属纳米粒子的糊料的工序；隔着所述糊料使所述半导体单元的第一主面和所述冷却器的平坦面接触的工序；以及在将所述糊料升温的同时向所述半导体单元的所述第二主面施加在平面内均匀的加压力，将所述糊料烧结而形成接合层的工序，在所述准备半导体单元的工序中，使所述散热部向所述冷却器侧呈凸状翘曲，在形成所述接合层的工序中，在与所述冷却器对置的所述散热部的整个背面形成所述接合层，其中，使散热部的中央部与冷却器相接，所述散热部的周边部与所述冷却器之间的间隙为10μm以上且300μm以下。