[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备半导体单元的工序，所述半导体单元具有具备散热部的第一主面和与所述第一主面对置的第二主面，并且搭载有半导体芯片；

准备具有平坦面的冷却器的工序；

在所述半导体单元的第一主面或者所述冷却器的平坦面涂布含有金属纳米粒子的糊料的工序；

隔着所述糊料使所述半导体单元的第一主面和所述冷却器的平坦面接触的工序；以及

在将所述糊料升温的同时向所述半导体单元的所述第二主面施加在平面内均匀的加压力，将所述糊料烧结而形成接合层的工序，

在所述准备半导体单元的工序中，使所述散热部向所述冷却器侧呈凸状翘曲，

在形成所述接合层的工序中，在与所述冷却器对置的所述散热部的整个背面形成所述接合层，其中，使散热部的中央部与冷却器相接，所述散热部的周边部与所述冷却器之间的间隙为10μm以上且300μm以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述加压力在所述第二主面的平面内具有±10％以内的偏差。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述加压力为5MPa以上且20MPa以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述升温的温度为150℃以上且350℃以下。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体单元，具有具备散热部的第一主面和与所述第一主面对置的第二主面，并且搭载有半导体芯片；

冷却器，具有平坦面，且所述平坦面位于与所述半导体单元的第一主面对置的位置；以及

接合层，由金属纳米粒子的烧结体构成，将所述半导体单元的第一主面与所述冷却器的平坦面接合，且周边部比中央部厚，

所述接合层形成在与所述冷却器对置的所述散热部的整个背面，其中，使散热部的中央部与冷却器相接，

所述接合层的周边部的厚度为10μm以上且300μm以下。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热部是电路板、绝缘板和金属板层叠而构成的绝缘基板，

所述冷却器与所述金属板接合，

所述半导体芯片固定于所述电路板。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属纳米粒子由银或者铜构成。