[实用新型]一种可分离的IGBT芯片结构有效

专利信息
申请号: 201520542868.4 申请日: 2015-07-24
公开(公告)号: CN204991687U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 张干;王建全;彭彪;王作义;崔永明 申请(专利权)人: 四川广义微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/40;H01L23/473
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 李朝虎
地址: 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内(*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种可分离的IGBT芯片结构,包括一个长方体的散热基座,散热基座的上表面安装有IGBT模块,散热基座的左侧面和右侧面安装有若干传热杆,传热杆插入散热基座内部并与散热基座进行螺纹配合连接,传热杆表面设置有散热鳍片,散热鳍片为一个螺旋金属片,螺旋金属片以螺旋的形式绕制在传热杆的圆周面上。
搜索关键词: 一种 可分离 igbt 芯片 结构
【主权项】:
一种可分离的IGBT芯片结构,其特征在于:包括一个长方体的散热基座(2),散热基座(2)的上表面安装有IGBT模块(1),散热基座(2)的左侧面和右侧面安装有若干传热杆(3),传热杆插入散热基座(2)内部并与散热基座(2)进行螺纹配合连接,传热杆表面设置有散热鳍片(4),散热鳍片为一个螺旋金属片,螺旋金属片以螺旋的形式绕制在传热杆的圆周面上。
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