[实用新型]半导体装置和电子设备有效
申请号: | 201520454750.6 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN204706561U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 大美贺孝;藤本健治;荻野博之 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/367 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陶海萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备,所述半导体装置包括:半导体元件、绝缘基板以及散热板,其中,所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层,所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层,所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件,所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板,所述绝缘基板、第1金属层以及第2金属层的内部具有通孔,在所述通孔内设置有金属连接部。能够在基板的厚度方向上布置地线,从而使得基板的面积小型化,另外,能够有效提高半导体装置的散热性能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体元件、绝缘基板以及散热板,其特征在于,所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层,所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层,所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件,所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板,所述绝缘基板、第1金属层以及第2金属层的内部具有通孔,在所述通孔内设置有金属连接部。
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