[实用新型]半导体装置和电子设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。

背景技术

半导体装置被广泛应用于电子设备中。在半导体装置中，需要在基板上布置地线(GND,Ground)。现有的方法是在基板上回绕布置地线。图1是专利文献1(JP2014-82398A)的半导体装置的结构示意图。如图1所示，半导体装置1包括绝缘基板5、半导体元件2以及冷却器3，半导体元件2与第1金属层6以及第2金属层8通过焊接连接，在冷却器3的上表面设置粉末熔融金属层9，粉末熔融金属层9的上表面与第2金属层8通过焊接连接，其中，在绝缘基板5上回绕的布置地线。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

但是，发明人发现，由于需要在绝缘基板上回绕的布置地线，导致基板的面积增大，另外，由于在半导体元件的下方具有绝缘基板，导致散热性能较差。

本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备，能够在基板的厚度方向上布置地线，从而使得基板的面积小型化，另外，能够有效提高半导体装置的散热性能。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体元件、绝缘基板以及散热板，其中，所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层，所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层，所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件，所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板，所述绝缘基板、第1金属层以及第2金属层的内部具有通孔，在所述通孔内设置有金属连接部。

根据本实用新型实施例的第二方面，其中，所述金属连接部的高度大于所述通孔的高度。

根据本实用新型实施例的第三方面，其中，所述第1金属层设置在与所述半导体元件在水平面上的投影区域相同的区域上，所述第2金属层设置在与所述散热板连接面的整个面上。

根据本实用新型实施例的第四方面，其中，所述散热板还作为电极。

根据本实用新型实施例的第五方面，其中，所述第1连接层和第2连接层是导电性粘结剂层。

根据本实用新型实施例的第六方面，其中，所述金属连接部由铜或铜合金构成。

根据本实用新型实施例的第七方面，其中，所述绝缘基板是直接敷铜基板。

根据本实用新型实施例的第八方面，提供一种电子设备，该电子设备包括如上述实施例的第一方面至第七方面中的任一项所述的半导体装置。

本实用新型的有益效果在于：半导体元件通过基板的通孔内的金属连接部与散热板电连接，能够在基板的厚度方向上布置地线，从而使得基板的面积小型化，另外，通过基板的通孔内的金属连接部将热量扩散到散热板，能够有效提高半导体装置的散热性能。

参照后文的说明和附图，详细公开了本实用新型的特定实施方式，指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解，本实用新型的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本实用新型的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

所包括的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本实用新型的实施方式，并与文字描述一起来阐释本实用新型的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是专利文献1的半导体装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例1的半导体装置的结构示意图；

图3是本实用新型实施例1的第1金属层204的俯视图；

图4是本实用新型实施例1的第2金属层205的仰视图。

具体实施方式