[发明专利]半导体堆叠封装方法有效
| 申请号： | 201510947251.5 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105428251A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体堆叠封装方法，包括：在基板上表面形成金属柱凸点，金属柱凸点的上表面高于待装载的第一芯片的上表面；将第一芯片倒装于基板的上表面；在基板上表面形成第一塑封层，第一塑封层露出金属柱凸点的顶部；将第二芯片的功能区连接至金属柱凸点；在第一塑封层的上表面形成第二塑封层，第二塑封层包覆第二芯片；在基板的下表面形成焊球或者可焊接膜层。本发明通过在基板上形成金属柱凸点实现互联，能够实现窄间距、高密度、大电流、低导通电阻等性能优势；在基板上形成金属柱凸点，能够简化封装工艺，减少回流次数，降低由于回流造成的基板涨缩等工艺风险；可以整条基板制作，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 堆叠 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体堆叠封装方法，其特征在于，包括：在基板上表面形成金属柱凸点，所述金属柱凸点的上表面高于待装载的第一芯片的上表面；将所述第一芯片倒装于所述基板的上表面；在所述基板上表面形成第一塑封层，所述第一塑封层露出所述金属柱凸点的顶部；将第二芯片的功能区连接至所述金属柱凸点；在所述第一塑封层的上表面形成第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第二芯片；在所述基板的下表面形成焊球或者可焊接膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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